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產(chǎn)品系列

羅斌森

  • CSD18511KCS

  • Manufacturer : Texas Instruments
    Packaging : Tube
    Series : NexFET?
    Part Status : Active
    FET Type : N-Channel
    Technology : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 194A (Ta)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250μA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5940pF @ 20V
    Power Dissipation (Max) : 188W (Ta)
    Operating Temperature : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-3
    Package / Case : TO-220-3

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LM46001QPWPRQ1 TI 16-HTSSOP New 詳細
LMV794MAX/NOPB TI 8-SOIC New 詳細
WAVEVSN BRD 5.1/NOPB TI New 詳細
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OPA363IDBVT TI SOT-23-6 New 詳細
LM4040CEM3-3.0/NOPB TI SOT-23-3 New 詳細
BQ24109RHLR TI 20-VQFN (3.5x4.5) New 詳細
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LM3402HVMM/NOPB TI 8-VSSOP New 詳細
LM26480QSQ-CF/NOPB TI 24-WQFN (4x4) New 詳細
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LM3S9U81-IQC80-A1T TI 100-LQFP (14x14) New 詳細